Forskellen mellem BJT og FET

BJT vs FET

Både BJT (Bipolar Junction Transistor) og FET (Field Effect Transistor) er to typer transistorer. Transistor er en elektronisk halvlederenhed, der giver et stort set skiftende elektrisk udgangssignal til små ændringer i små indgangssignaler. På grund af denne kvalitet kan enheden bruges som enten en forstærker eller en switch. Transistor blev frigivet i 1950'erne, og den kan betragtes som en af ​​de vigtigste opfindelser i det 20. århundrede i betragtning af dens bidrag til udviklingen af ​​IT. Forskellige typer arkitekturer til transistor er testet.

Bipolar Junction Transistor (BJT)

BJT består af to PN-knudepunkter (et kryds lavet ved at forbinde en p-type halvleder og en type halvleder). Disse to forbindelser dannes ved at forbinde tre halvlederstykker i størrelsesordenen P-N-P eller N-P-N. Der findes to typer BJT'er kendt som PNP og NPN.

Tre elektroder er forbundet til disse tre halvlederdele, og mellemleder kaldes 'base'. Andre to kryds er "emitter" og "samler".

I BJT styres den store kollektoremitterstrøm (Ic) af den lille baseemitterstrøm (IB), og denne egenskab udnyttes til at designe forstærkere eller switches. Der for det kan betragtes som en aktuelt drevet enhed. BJT bruges mest i forstærker kredsløb.

Felteffekttransistor (FET)

FET er lavet af tre terminaler kendt som 'Gate', 'Source' og 'Drain'. Her styres dræningsstrømmen af ​​portspændingen. Derfor er FET'er spændingsstyrede enheder.

Afhængigt af typen af ​​halvleder, der bruges til kilde og dræning (i FET begge er lavet af den samme halvleder type), kan en FET være en N-kanal eller P-kanalindretning. Kilde til drænstrømstrøm styres ved at justere kanalbredden ved at påføre en passende spænding til porten. Der er også to måder at kontrollere kanalbredden, der er kendt som udtømning og forbedring. Derfor er FET'er tilgængelige i fire forskellige typer, såsom N-kanal eller P-kanal med enten i udtømmings- eller forbedringsfunktion.

Der er mange typer FET'er, såsom MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (High Electron Mobility Transistor) og IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor). CNTFET (Carbon Nanotube FET), som blev resultatet af udviklingen af ​​nanoteknologi, er det seneste medlem af FET-familien.