Forskellen mellem BJT og IGBT

BJT vs IGBT

BJT (Bipolar Junction Transistor) og IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) er to typer transistorer, der bruges til at styre strømme. Begge enheder har PN-kryds og er forskellige i enhedsstruktur. Selvom begge er transistorer, har de betydelige forskelle i karakteristika.

BJT (Bipolar Junction Transistor)

BJT er en type transistor, der består af to PN-knudepunkter (et kryds lavet ved at forbinde en p-type halvleder og n-type halvleder). Disse to forbindelser dannes ved at forbinde tre halvlederstykker i størrelsesordenen P-N-P eller N-P-N. Derfor er to typer BJT'er, kendt som PNP og NPN, tilgængelige.

Tre elektroder er forbundet til disse tre halvlederdele, og mellemleder kaldes 'base'. Andre to kryds er "emitter" og "samler".

I BJT, stor samleremitter (I_c) strøm styres af den lille basisemitterstrøm (I_B), og denne egenskab udnyttes til at designe forstærkere eller afbrydere. Derfor kan det betragtes som en strømstyret enhed. BJT bruges mest i forstærker kredsløb.

IGBT (Bipolar transistor med isoleret gate)

IGBT er en halvlederenhed med tre terminaler kendt som 'Emitter', 'Collector' og 'Gate'. Det er en type transistor, der kan håndtere en større mængde strøm og har en højere skiftehastighed, der gør den højeffektiv. IGBT er blevet introduceret på markedet i 1980'erne.

IGBT har de kombinerede funktioner i både MOSFET og bipolar forbindelsestransistor (BJT). Det er portdrevet som MOSFET og har strømspændingsegenskaber som BJT'er. Derfor har det fordelene ved både høj strømhåndteringsevne og let kontrol. IGBT-moduler (består af et antal enheder) håndterer kilowatt med strøm.