Forskellen mellem GTO og SCR

GTO vs SCR

Både SCR (siliciumstyret ensretter) og GTO (Gate Turn-off Thyristor) er to typer thyristorer lavet af fire halvlederlag. Begge enheder har tre terminaler kaldet anode, katode og gate, hvor en puls på gate bruges til at kontrollere strømmen, der flyder gennem enheden.

SCR (siliciumstyret ensretter)

SCR er en tyristor og bruges i vid udstrækning i nuværende korrektionsapplikationer. SCR er lavet af fire skiftende halvlederlag (i form af P-N-P-N), og består derfor af tre PN-kryds. I analyse betragtes dette som et tæt koblet par BJT'er (en PNP og anden i NPN-konfiguration). De yderste halvlederlag af P og N kaldes henholdsvis anode og katode. Elektrode forbundet til indre halvlederlag af typen P er kendt som 'gate'.

Under drift fungerer SCR ledende, når en puls tilføres porten. Det fungerer enten i 'til' eller 'fra' tilstand. Når porten er udløst med pulsen, går SCR til 'on' -tilstand og fortsætter med at lede, indtil den forreste strøm bliver mindre end en tærskel, der kaldes 'holder strøm'.

SCR er en strømanordning, og de fleste af de gange bruges den til applikationer, hvor høje strømme og spændinger er involveret. Den mest anvendte SCR-applikation er at styre (udbedre) vekselstrømme.

GTO (Gate-slukket Thyristor)

GTO er også en type tyristor lavet af fire P-type- og N-type halvlederlag, men enhedens struktur er lidt anderledes sammenlignet med SCR. Tre terminaler af GTO kaldes også 'anode', 'katode' og 'gate'.

Under drift virker GTO ledende, når en puls tilføres porten. Når porten er udløst med en positiv puls, går GTO til ledende tilstand svarende til SCR.

Ud over funktionerne i SCR er 'slukket' tilstand af GTO også kontrollerbar gennem en negativ puls. I SCR sker 'fra' -funktionen ikke, før den fremadrettede strøm er mindre end den tærskel, der holder strøm.

GTO'er er også strømforsyningsenheder og det mest bruges i vekslende aktuelle applikationer.