Forskellen mellem PROM og EPROM

PROM vs EPROM

Inden for elektronik og computing er hukommelseselementer vigtige for at gemme data og hente dem bagefter. I de tidligste stadier blev magnetbånd brugt som hukommelse, og med halvlederrevolutionen blev der også udviklet hukommelseselementer baseret på halvledere. EPROM og EEPROM er ikke-flygtige halvlederhukommelsestyper.

Hvis et hukommelseselement ikke kan opbevare data efter afbrydelse fra strømmen, er det kendt som et flygtigt hukommelseselement. PROM'er og EPROM'er var banebrydende teknologier i ikke-flygtige hukommelsesceller (dvs. de er i stand til at bevare data efter afbrydelse fra strøm), hvilket førte til udviklingen af ​​moderne solid state-hukommelsesenheder.         

Hvad er PROM?

PROM står for Programmerbar Read Only Memory, en type ikke-flygtig hukommelse oprettet af Weng Tsing Chow i 1959 efter anmodning fra US Air Force som et alternativ til hukommelsen af ​​Atlas E og F ICBM modeller ombord (luftbåren) digital computer. De er også kendt som en engangsprogrammerbar ikke-flygtig hukommelse (OTP NVM) og feltprogrammerbar skrivebeskyttet hukommelse (FPROM). I øjeblikket bruges disse i vid udstrækning i mikrokontrollere, mobiltelefoner, radiofrekvensidentifikationskort (RFID'er), High Definition Media Interfaces (HDMI) og videospilkontrollere.

Data skrevet på en PROM er permanente og kan ikke ændres; derfor bruges de ofte som statisk hukommelse såsom firmware til enheder. Tidlige computer BIOS-chips var også PROM-chips. Før programmeringen har chippen kun bits med en værdi “1”. I programmeringsprocessen konverteres kun de krævede bit til nul "0" ved at sprænge hver sikringsbit. Når chippen først er programmeret, er processen irreversibel; derfor er disse værdier uforanderlige og permanente.

Baseret på produktionsteknologien kan data programmeres på wafer-, sluttest- eller systemintegrationsniveauer. Disse programmeres ved hjælp af en PROM-programmerer, der blæser sikringerne i hver bit ved at påføre en relativt stor spænding til at programmere chippen (normalt 6V i 2 nm tykt lag). PROM-celler er forskellige fra ROM'er; de kan programmeres, selv efter fremstilling, mens ROM'er kun kan programmeres ved fremstillingen.

Hvad er EPROM?

EPROM står for Sletbar programmerbar læsehukommelse, også en kategori af ikke-flygtige hukommelsesenheder, der kan programmeres og også slettes. EPROM blev udviklet af Dov Frohman hos Intel i 1971 baseret på undersøgelsen af ​​defekte integrerede kredsløb, hvor transistorernes portforbindelser var brudt.

En EPROM-hukommelsescelle er en stor samling af flydende gate Field Effect Transistors. Data (hver bit) skrives på individuelle felteffekttransistorer inde i chippen ved hjælp af en programmerer, der opretter kildeafløbskontakter inde. Baseret på celle-adresse gemmer en bestemt FET data og spændinger meget højere end de normale digitale kredsløbets driftsspændinger bruges i denne operation. Når spændingen fjernes, er elektronerne fanget i elektroderne. På grund af sin meget lave ledningsevne er siliciumdioxid (SiO₂) isoleringslag mellem portene bevarer opladningen i lange perioder, hvorved hukommelsen bevares i ti til tyve år.   

En EPROM-chip slettes ved eksponering for stærk UV-kilde, såsom en Mercury-damplampe. Sletning kan udføres ved hjælp af et UV-lys med en bølgelængde på mindre end 300 nm og udsættes i 20 til 30 minutter på tæt hold (<3cm). For this, EPROM package is built with a fused quartz window that exposes the silicon chip to the light. Therefore, an EPROM is easily identifiable from this characteristic fused quartz window. Erasure can be done using X-rays too.

EPROM'er bruges dybest set som statiske hukommelseslagre i store kredsløb. De blev bredt brugt som BIOS-chips på computer bundkort, men de erstattes af nye teknologier som EEPROM, som er billigere, mindre og hurtigere.

Hvad er forskellen mellem PROM og EPROM?

• PROM er den ældre teknologi, mens både PROM og EPROM er ikke-flygtige hukommelsesenheder.

• PROM'er kan kun programmeres én gang, mens EPROM'er kan genbruges og kan programmeres flere gange.

• Processen i programmeringen af ​​PROMS er irreversibel; dermed er hukommelsen permanent. I EPROMs kan hukommelse slettes ved eksponering for UV-lys.

• EPROM'er har et smeltet kvartsvindue i emballagen for at tillade dette. PROM'er er lukket i komplet plastemballage; UV har derfor ingen indflydelse på PROM'er

• I PROMs skrives / programmeres data på chippen ved at sprænge sikringerne ved hver bit ved hjælp af meget højere spændinger end de gennemsnitlige spændinger, der bruges i digitale kredsløb. EPROMS bruger også højspænding, men ikke nok til at ændre halvlederlaget permanent.